打印页面
STB42N65M5
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 33 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
46 有货
需要更多？
46 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY89.920 (CNY101.6096) |
| 5+ | CNY77.850 (CNY87.9705) |
| 10+ | CNY65.780 (CNY74.3314) |
| 50+ | CNY60.460 (CNY68.3198) |
| 100+ | CNY55.140 (CNY62.3082) |
| 250+ | CNY54.040 (CNY61.0652) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY89.92 (CNY101.61 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
The STB42N65M5 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET offers excellent switching performance. The MDmesh™ V is a revolutionary Power MOSFET technology based on an innovative proprietary vertical process, which is combined with STMicroelectronics' well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low ON-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFET, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiencies.
- TO-220 worldwide best RDS (ON)
- Higher VDSS rating
- High dV/dt capability
- Easy to drive
- 100% Avalanche tested
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
33A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
190W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.07ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
相关产品
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001715