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STB18NM80
功率场效应管, MOSFET, N通道, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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|---|---|
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| 10+ | CNY29.850 (CNY33.7305) |
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| 500+ | CNY19.430 (CNY21.9559) |
| 1000+ | CNY18.060 (CNY20.4078) |
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产品概述
STB18NM80 是一款MDmesh™ N沟道功率MOSFET, 低输入电容和栅极电荷。这款功率MOSFET采用STMicroelectronics MDmesh™技术开发, 该技术结合了多重漏极工艺和PowerMESH™ 水平布局。该器件具有极低的导通电阻, 高dV/dt, 出色的雪崩特性。这款功率MOSFET采用STMicroelectronics剥离技术, 具有全面的动态性能, 优于市场上的同类产品。
- 100%经过雪崩测试
- 低栅极输入电阻
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
17A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
190W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
800V
漏源接通状态电阻
0.25ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001724