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STB130N6F7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY19.430 | CNY19.43 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY19.430 (CNY21.9559) |
| 10+ | CNY12.500 (CNY14.125) |
| 100+ | CNY8.620 (CNY9.7406) |
| 500+ | CNY8.350 (CNY9.4355) |
| 1000+ | CNY8.070 (CNY9.1191) |
| 5000+ | CNY7.790 (CNY8.8027) |
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产品信息
制造商产品编号STB130N6F7
库存编号
复卷3366999RL
切割卷带3366999
产品范围STripFET F7
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续80A
漏源接通状态电阻4200µohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散160W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围STripFET F7
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
80A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
160W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
4200µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
STripFET F7
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00138