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SGT105R70ILB
氮化镓 (GaN)晶体管, 700 V, 21.7 A, 0.105 ohm, 4.8 nC, PowerFLAT HV, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY36.130 (CNY40.8269) |
| 10+ | CNY27.590 (CNY31.1767) |
| 100+ | CNY22.010 (CNY24.8713) |
| 500+ | CNY20.260 (CNY22.8938) |
| 1000+ | CNY19.090 (CNY21.5717) |
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产品信息
制造商STMICROELECTRONICS
制造商产品编号SGT105R70ILB复制
库存编号4785164
技术数据表
漏源电压, Vds700V
电流, Id 连续21.7A
漏源接通状态电阻0.105ohm
栅极电荷(典型值)4.8nC
晶体管封装类型PowerFLAT HV
晶体管安装表面安装
针脚数8引脚
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
漏源电压, Vds
700V
漏源接通状态电阻
0.105ohm
晶体管封装类型
PowerFLAT HV
针脚数
8引脚
合规
-
电流, Id 连续
21.7A
栅极电荷(典型值)
4.8nC
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001