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SCTW35N65G2VAG
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, TO-247
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| 10+ | CNY66.170 (CNY74.7721) |
| 50+ | CNY64.790 (CNY73.2127) |
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产品信息
制造商STMICROELECTRONICS
制造商产品编号SCTW35N65G2VAG复制
制造商标准货期25 周
库存编号3387275
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续45A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.045ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值3.2V
功率耗散240W
工作温度最高值200°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
45A
漏源接通状态电阻
0.045ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
3.2V
工作温度最高值
200°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
240W
产品范围
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0045