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SCTW100N65G2AG
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 100 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247
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| 数量 | 价钱 (含税) |
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| 1+ | CNY262.590 (CNY296.7267) |
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| 10+ | CNY234.270 (CNY264.7251) |
| 50+ | CNY220.110 (CNY248.7243) |
| 100+ | CNY205.940 (CNY232.7122) |
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产品信息
制造商STMICROELECTRONICS
制造商产品编号SCTW100N65G2AG
库存编号3387273
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续100A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.02ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值3.1V
功率耗散420W
工作温度最高值200°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
SCTW100N65G2AG is an automotive-grade silicon carbide power MOSFET. This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
- AEC-Q101 qualified
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Extremely low gate charge and input capacitance
- Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
- 650V drain-source voltage
- 100A drain current (continuous) at TC = 25°C
- 420W total power dissipation at TC = 25°C
- HiP247 package
- Operating junction temperature range from -55 to 200°C
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
100A
漏源接通状态电阻
0.02ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
3.1V
工作温度最高值
200°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
420W
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000091