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SCT30N120
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, HiP247
已停产
产品信息
制造商STMICROELECTRONICS
制造商产品编号SCT30N120复制
库存编号2451116
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续40A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.08ohm
晶体管封装类型HiP247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值2.6V
功率耗散270W
工作温度最高值200°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The SCT30N120 is a N-channel silicon carbide Power MOSFET, unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance independent of temperature. Suitable for high efficiency and high power density applications.
- Very tight variation of on-resistance vs. temperature
- Slight variation of switching losses vs. temperature
- Very high operating temperature capability (200°C)
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Low capacitance
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
40A
漏源接通状态电阻
0.08ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
2.6V
工作温度最高值
200°C
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
HiP247
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
270W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.008051