打印页面
SCT20N120
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, HiP247
414 有货
需要更多？
414 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY88.180 (CNY99.6434) |
| 5+ | CNY83.010 (CNY93.8013) |
| 10+ | CNY77.840 (CNY87.9592) |
| 50+ | CNY72.660 (CNY82.1058) |
| 100+ | CNY67.490 (CNY76.2637) |
| 250+ | CNY66.070 (CNY74.6591) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY88.18 (CNY99.64 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商STMICROELECTRONICS
制造商产品编号SCT20N120
库存编号2807234
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续20A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.169ohm
晶体管封装类型HiP247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值3.5V
功率耗散175W
工作温度最高值200°C
产品范围-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
20A
漏源接通状态电阻
0.169ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
3.5V
工作温度最高值
200°C
湿气敏感性等级
-
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
HiP247
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
175W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00655