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SCT10N120
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 12 A, 1.2 kV, 0.5 ohm, HiP247
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产品信息
制造商STMICROELECTRONICS
制造商产品编号SCT10N120复制
制造商标准货期31 周
库存编号3129687
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续12A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.5ohm
晶体管封装类型HiP247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值3.5V
功率耗散150W
工作温度最高值200°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
12A
漏源接通状态电阻
0.5ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
3.5V
工作温度最高值
200°C
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
HiP247
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
150W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001361