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SCT070HU120G3AG
碳化硅MOSFET, AEC-Q101, 单, N通道, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, HU3PAK
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY101.500 | CNY101.50 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY101.500 (CNY114.695) |
| 5+ | CNY85.780 (CNY96.9314) |
| 10+ | CNY70.050 (CNY79.1565) |
| 50+ | CNY68.240 (CNY77.1112) |
| 100+ | CNY66.420 (CNY75.0546) |
| 250+ | CNY64.600 (CNY72.998) |
品項附註
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产品信息
制造商STMICROELECTRONICS
制造商产品编号SCT070HU120G3AG
库存编号
复卷4538746RL
切割卷带4538746
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续30A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.087ohm
晶体管封装类型HU3PAK
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.2V
功率耗散223W
工作温度最高值175°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
30A
漏源接通状态电阻
0.087ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
4.2V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
HU3PAK
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
223W
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002744