打印页面
SCT055HU65G3AG
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, HU3PAK
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
11 有货
需要更多？
10 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
1 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY95.250 | CNY95.25 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY95.250 (CNY107.6325) |
| 5+ | CNY81.210 (CNY91.7673) |
| 10+ | CNY67.160 (CNY75.8908) |
| 50+ | CNY65.630 (CNY74.1619) |
| 100+ | CNY64.090 (CNY72.4217) |
| 250+ | CNY62.550 (CNY70.6815) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商STMICROELECTRONICS
制造商产品编号SCT055HU65G3AG
库存编号
复卷4285874RL
切割卷带4285874
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续30A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.072ohm
晶体管封装类型HU3PAK
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.2V
功率耗散185W
工作温度最高值175°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
30A
漏源接通状态电阻
0.072ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
4.2V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
HU3PAK
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
185W
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001