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SCT040H65G3AG
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 30 A, 650 V, 0.055 ohm, H2PAK
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY86.190 | CNY86.19 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY86.190 (CNY97.3947) |
| 5+ | CNY72.980 (CNY82.4674) |
| 10+ | CNY59.770 (CNY67.5401) |
| 50+ | CNY59.040 (CNY66.7152) |
| 100+ | CNY58.300 (CNY65.879) |
| 250+ | CNY57.560 (CNY65.0428) |
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产品信息
制造商STMICROELECTRONICS
制造商产品编号SCT040H65G3AG复制
库存编号
复卷4285872RL
切割卷带4285872
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续30A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.055ohm
晶体管封装类型H2PAK
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.2V
功率耗散221W
工作温度最高值175°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
30A
漏源接通状态电阻
0.055ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
4.2V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
H2PAK
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
221W
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Italy
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Italy
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001