打印页面
SCT027W65G3-4AG
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 60 A, 650 V, 0.0393 ohm, HiP247
9 有货
需要更多？
9 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
该库存量售罄后，将不再备货
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY123.950 (CNY140.0635) |
| 5+ | CNY121.480 (CNY137.2724) |
| 10+ | CNY119.000 (CNY134.470) |
| 50+ | CNY116.520 (CNY131.6676) |
| 100+ | CNY114.040 (CNY128.8652) |
| 250+ | CNY111.560 (CNY126.0628) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY123.95 (CNY140.06 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商STMICROELECTRONICS
制造商产品编号SCT027W65G3-4AG
库存编号4458501
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续60A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.0393ohm
晶体管封装类型HiP247
针脚数4引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.2V
功率耗散313W
工作温度最高值200°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
60A
漏源接通状态电阻
0.0393ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
4.2V
工作温度最高值
200°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
HiP247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
313W
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536