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SCT027H65G3AG
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 60 A, 650 V, 0.0393 ohm, H2PAK
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY124.880 | CNY124.88 |
切割卷带
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY124.880 (CNY141.1144) |
| 10+ | CNY87.880 (CNY99.3044) |
| 50+ | CNY86.510 (CNY97.7563) |
| 200+ | CNY85.120 (CNY96.1856) |
| 500+ | CNY83.720 (CNY94.6036) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1000+ | CNY82.070 (CNY92.7391) |
| 3000+ | CNY73.860 (CNY83.4618) |
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产品信息
制造商STMICROELECTRONICS
制造商产品编号SCT027H65G3AG复制
库存编号
整卷4555799
切割卷带4555392
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续60A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.0393ohm
晶体管封装类型H2PAK
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.2V
功率耗散300W
工作温度最高值175°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
60A
漏源接通状态电阻
0.0393ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
4.2V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
H2PAK
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
300W
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Italy
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Italy
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001