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产品概述
The MJD45H11T4 is a PNP complementary Power Transistor manufactured using low voltage Multi Epitaxial Planar technology. It is intended for general-purpose linear and switching applications.
- Low collector-emitter saturation voltage
- Fast switching speed
- Surface-mount power package
技术规格
晶体管极性
PNP
连续集电极电流
8A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
40hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
80V
功率耗散
20W
晶体管安装
表面安装
过渡频率
-MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
MJD45H11T4 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000536
