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MJD32CT4
单晶体管 双极, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 100+ | CNY3.290 (CNY3.7177) |
| 500+ | CNY2.550 (CNY2.8815) |
| 1000+ | CNY1.880 (CNY2.1244) |
| 5000+ | CNY1.660 (CNY1.8758) |
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产品信息
制造商产品编号MJD32CT4复制
制造商标准货期23 周
库存编号2341705
技术数据表
晶体管极性PNP
最大集电极发射电压100V
连续集电极电流3A
功率耗散15W
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率-
直流电流增益, Hfe 最小值50hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The MJD32CT4 is a PNP low voltage Power Transistor manufactured using Planar technology with “Base Island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.
- Surface-mount power package
- NPN complementary to the type is MJD31C
技术规格
晶体管极性
PNP
连续集电极电流
3A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
50hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
100V
功率耗散
15W
晶体管安装
表面安装
过渡频率
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000518