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US6M2TR
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.24 ohm
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|---|---|
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产品概述
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技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
1.5A
漏源导通电阻P沟道
0.39ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
1.5A
漏源通态电阻N沟道
0.24ohm
晶体管封装类型
TUMT
耗散功率N沟道
1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.000006