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SH8M41TB1
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.13 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY15.700 | CNY15.70 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY15.700 (CNY17.741) |
| 10+ | CNY10.060 (CNY11.3678) |
| 100+ | CNY6.800 (CNY7.684) |
| 500+ | CNY5.410 (CNY6.1133) |
| 1000+ | CNY4.780 (CNY5.4014) |
| 5000+ | CNY4.690 (CNY5.2997) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号SH8M41TB1
库存编号
复卷4180274RL
切割卷带4180274
技术数据表
通道类型N和P沟道
漏源电压Vds N沟道80V
漏源电压Vds P沟道80V
连续漏极电流 Id N沟道3.4A
连续漏极电流 Id P沟道2.6A
漏源通态电阻N沟道0.13ohm
漏源导通电阻P沟道0.24ohm
晶体管封装类型SOP
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
技术规格
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds P沟道
80V
连续漏极电流 Id P沟道
2.6A
漏源导通电阻P沟道
0.24ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
80V
连续漏极电流 Id N沟道
3.4A
漏源通态电阻N沟道
0.13ohm
晶体管封装类型
SOP
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001