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SH8K25GZ0TB1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.085 ohm
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|---|---|
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| 500+ | CNY4.190 (CNY4.7347) |
| 1000+ | CNY3.110 (CNY3.5143) |
| 5000+ | CNY3.060 (CNY3.4578) |
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技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
40V
电流, Id 连续
5.2A
连续漏极电流 Id N沟道
5.2A
连续漏极电流 Id P沟道
5.2A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOP
功耗 Pd
3W
耗散功率P沟道
3W
产品范围
-
汽车质量标准
-
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
40V
漏源电压Vds P沟道
40V
在电阻RDS（上）
0.06ohm
漏源通态电阻N沟道
0.085ohm
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00005