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SH8JC5TB1
双路场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 60 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.025 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY14.710 | CNY73.55 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY14.710 (CNY16.6223) |
| 50+ | CNY12.770 (CNY14.4301) |
| 100+ | CNY10.820 (CNY12.2266) |
| 500+ | CNY9.150 (CNY10.3395) |
| 1000+ | CNY8.840 (CNY9.9892) |
品項附註
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号SH8JC5TB1复制
库存编号
复卷3639775RL
切割卷带3639775
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道7.5A
连续漏极电流 Id P沟道7.5A
漏源通态电阻N沟道0.025ohm
漏源导通电阻P沟道0.025ohm
晶体管封装类型SOP
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
7.5A
漏源导通电阻P沟道
0.025ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
7.5A
漏源通态电阻N沟道
0.025ohm
晶体管封装类型
SOP
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074