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SCT3160KWAHRTL
碳化硅MOSFET, AEC-Q101, 单, N通道, 17 A, 1.2 kV, 0.208 ohm, TO-263
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY70.050 | CNY70.05 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY70.050 (CNY79.1565) |
| 5+ | CNY59.170 (CNY66.8621) |
| 10+ | CNY48.280 (CNY54.5564) |
| 50+ | CNY43.490 (CNY49.1437) |
| 100+ | CNY38.690 (CNY43.7197) |
| 250+ | CNY37.920 (CNY42.8496) |
品項附註
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号SCT3160KWAHRTL
库存编号
复卷4410746RL
切割卷带4410746
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续17A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.208ohm
晶体管封装类型TO-263
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.6V
功率耗散100W
工作温度最高值175°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
17A
漏源接通状态电阻
0.208ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
100W
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000013