打印页面
SCT3022ALGC11
碳化硅功率MOSFET, N沟道, 93 A, 650 V, 0.022欧姆, 18V, 5.6 V
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
可订购
制造商标准交货时间：43 周
有货时请通知我
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY345.190 (CNY390.0647) |
| 5+ | CNY325.970 (CNY368.3461) |
| 10+ | CNY306.740 (CNY346.6162) |
| 50+ | CNY300.610 (CNY339.6893) |
| 100+ | CNY294.480 (CNY332.7624) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY345.19 (CNY390.06 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号SCT3022ALGC11复制
库存编号2678782
也称为SCT3022ALGC11
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续93A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.022ohm
晶体管封装类型TO-247N
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.6V
功率耗散339W
工作温度最高值175°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (23-Jan-2024)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
93A
漏源接通状态电阻
0.022ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
175°C
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-247N
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
339W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (23-Jan-2024)
SCT3022ALGC11 的替代之选
找到 1 件产品
相关产品
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005