打印页面
SCT2280KEHRC11
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 14 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247N
4 有货
需要更多？
4 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY128.000 (CNY144.640) |
| 5+ | CNY105.450 (CNY119.1585) |
| 10+ | CNY82.890 (CNY93.6657) |
| 50+ | CNY80.070 (CNY90.4791) |
| 100+ | CNY77.250 (CNY87.2925) |
| 250+ | CNY75.710 (CNY85.5523) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY128.00 (CNY144.64 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号SCT2280KEHRC11复制
制造商标准货期45 周
库存编号3816856
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续14A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.28ohm
晶体管封装类型TO-247N
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值2.8V
功率耗散108W
工作温度最高值175°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)Lead (23-Jan-2024)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
14A
漏源接通状态电阻
0.28ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
2.8V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
Lead (23-Jan-2024)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247N
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
108W
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005