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| 5+ | CNY171.800 (CNY194.134) |
| 10+ | CNY146.100 (CNY165.093) |
| 50+ | CNY144.320 (CNY163.0816) |
| 100+ | CNY142.530 (CNY161.0589) |
| 250+ | CNY139.640 (CNY157.7932) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号SCT2080KEGC11
库存编号3869176
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续40A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.08ohm
晶体管封装类型TO-247N
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值2.8V
功率耗散262W
工作温度最高值175°C
产品范围-
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
40A
漏源接通状态电阻
0.08ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
2.8V
工作温度最高值
175°C
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247N
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
262W
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.008251

