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RUM002N02T2L
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY1.600 | CNY8.00 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.600 (CNY1.808) |
| 50+ | CNY0.995 (CNY1.1244) |
| 250+ | CNY0.741 (CNY0.8373) |
| 1000+ | CNY0.584 (CNY0.6599) |
| 4000+ | CNY0.465 (CNY0.5254) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
200mA
晶体管封装类型
VMT
Rds(on)测试电压
2.5V
功率耗散
150mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.8ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003316