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RUC002N05HZGT116
功率场效应管, MOSFET, N通道, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, 表面安装
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|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY1.220 | CNY6.10 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.220 (CNY1.3786) |
| 50+ | CNY1.020 (CNY1.1526) |
| 100+ | CNY0.805 (CNY0.9096) |
| 500+ | CNY0.468 (CNY0.5288) |
| 1500+ | CNY0.459 (CNY0.5187) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号RUC002N05HZGT116复制
库存编号
复卷2769554RL
切割卷带2769554
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds50V
电流, Id 连续200mA
漏源接通状态电阻1.6ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散350mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
注释
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
200mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
350mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
50V
漏源接通状态电阻
1.6ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
RUC002N05HZGT116 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536