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RSS065N06FRATB
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 6.5 A, 0.037 ohm, SOIC, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY10.060 (CNY11.3678) |
| 10+ | CNY9.150 (CNY10.3395) |
| 100+ | CNY6.060 (CNY6.8478) |
| 500+ | CNY4.990 (CNY5.6387) |
| 1000+ | CNY4.310 (CNY4.8703) |
| 5000+ | CNY4.230 (CNY4.7799) |
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品項附註
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号RSS065N06FRATB
库存编号2706676
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续6.5A
漏源接通状态电阻0.037ohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散2W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
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产品概述
注释
此产品可用于评估或设计. 请在计划批准此设备时联系您当地的ROHM办公室.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
6.5A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.037ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074