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RS6G100BGTB1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 100 A, 3400 µohm, HSOP, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY18.890 | CNY18.89 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY18.890 (CNY21.3457) |
| 10+ | CNY12.190 (CNY13.7747) |
| 100+ | CNY8.310 (CNY9.3903) |
| 500+ | CNY6.660 (CNY7.5258) |
| 1000+ | CNY6.150 (CNY6.9495) |
| 5000+ | CNY6.030 (CNY6.8139) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
HSOP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
59W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
3400µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000318