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RS1E200BNTB
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 20 A, 3900 µohm, HSOP, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY9.380 (CNY10.5994) |
| 10+ | CNY7.240 (CNY8.1812) |
| 100+ | CNY6.590 (CNY7.4467) |
| 500+ | CNY5.760 (CNY6.5088) |
| 1000+ | CNY4.260 (CNY4.8138) |
| 5000+ | CNY2.790 (CNY3.1527) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY9.38 (CNY10.60 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
20A
晶体管封装类型
HSOP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (23-Jan-2024)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
3900µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
RS1E200BNTB 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005577