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RQ3E070BNTB
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 7 A, 0.027 ohm, HSMT, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.580 (CNY5.1754) |
| 10+ | CNY2.840 (CNY3.2092) |
| 100+ | CNY1.820 (CNY2.0566) |
| 500+ | CNY1.390 (CNY1.5707) |
| 1000+ | CNY1.040 (CNY1.1752) |
| 5000+ | CNY0.862 (CNY0.9741) |
包装规格：每个
最低: 5
多件: 5
CNY22.90 (CNY25.88 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
7A
晶体管封装类型
HSMT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.027ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005577