打印页面

RH7G04CBKFRATCB

功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 A, 5000 µohm, WFDFN3333, 表面安装

ROHM
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
ROHM RH7G04CBKFRATCB 功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 A, 5000 µohm, WFDFN3333, 表面安装
ROHM RH7G04CBKFRATCB
ROHM RH7G04CBKFRATCB
制造商ROHM
制造商产品编号RH7G04CBKFRATCB复制
制造商标准货期36 周
库存编号4691439
您的零件号
技术数据表

Data Sheet

查看所有技术文档
96 有货

需要更多？

96 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
数量价钱 (含税)
1+CNY17.070 (CNY19.2891)
10+CNY10.980 (CNY12.4074)
100+CNY7.410 (CNY8.3733)
500+CNY5.900 (CNY6.667)
1000+CNY4.880 (CNY5.5144)
5000+CNY4.790 (CNY5.4127)
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY17.07 (CNY19.29 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。

产品信息

  • ROHM
    制造商ROHM
    制造商产品编号RH7G04CBKFRATCB复制
    制造商标准货期36 周
    库存编号4691439
    技术数据表

    Data Sheet

    通道类型N通道
    漏源电压, Vds40V
    电流, Id 连续40A
    漏源接通状态电阻5000µohm
    晶体管封装类型WFDFN3333
    晶体管安装表面安装
    Rds(on)测试电压10V
    阈值栅源电压最大值2.5V
    功率耗散62W
    针脚数8引脚
    工作温度最高值175°C
    产品范围-
    合规AEC-Q101
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)

技术规格

  • 通道类型

    N通道

    电流, Id 连续

    40A

    晶体管封装类型

    WFDFN3333

    Rds(on)测试电压

    10V

    功率耗散

    62W

    工作温度最高值

    175°C

    合规

    AEC-Q101

    漏源电压, Vds

    40V

    漏源接通状态电阻

    5000µohm

    晶体管安装

    表面安装

    阈值栅源电压最大值

    2.5V

    针脚数

    8引脚

    产品范围

    -

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (25-Jun-2025)

技术文档 2

法律与环境

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    Japan
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.00004