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RH6L040BGTB1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 65 A, 7100 µohm, HSMT, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY22.780 | CNY22.78 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY22.780 (CNY25.7414) |
| 10+ | CNY14.780 (CNY16.7014) |
| 100+ | CNY10.220 (CNY11.5486) |
| 500+ | CNY8.240 (CNY9.3112) |
| 1000+ | CNY7.260 (CNY8.2038) |
| 5000+ | CNY7.120 (CNY8.0456) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
65A
晶体管封装类型
HSMT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
59W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
7100µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001