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RD3R02BBHTL1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 20 A, 0.081 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY14.480 | CNY14.48 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY14.480 (CNY16.3624) |
| 10+ | CNY10.070 (CNY11.3791) |
| 100+ | CNY7.690 (CNY8.6897) |
| 500+ | CNY6.140 (CNY6.9382) |
| 1000+ | CNY5.640 (CNY6.3732) |
| 5000+ | CNY5.530 (CNY6.2489) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
20A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
50W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
0.081ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001