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RD3G03BBGTL1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 65 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
61 有货
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61 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY16.790 | CNY16.79 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY16.790 (CNY18.9727) |
| 10+ | CNY10.800 (CNY12.204) |
| 100+ | CNY7.400 (CNY8.362) |
| 500+ | CNY5.870 (CNY6.6331) |
| 1000+ | CNY5.400 (CNY6.102) |
| 5000+ | CNY5.300 (CNY5.989) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
65A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
50W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
6500µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000399