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R6013VND3TL1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY15.780 | CNY15.78 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY15.780 (CNY17.8314) |
| 10+ | CNY12.020 (CNY13.5826) |
| 100+ | CNY10.650 (CNY12.0345) |
| 500+ | CNY10.280 (CNY11.6164) |
| 1000+ | CNY10.000 (CNY11.300) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
13A
晶体管封装类型
TO-252
Rds(on)测试电压
15V
功率耗散
131W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.3ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
6.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001