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QS8J4TR
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY12.500 | CNY12.50 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY12.500 (CNY14.125) |
| 10+ | CNY7.930 (CNY8.9609) |
| 100+ | CNY5.300 (CNY5.989) |
| 500+ | CNY4.180 (CNY4.7234) |
| 1000+ | CNY3.490 (CNY3.9437) |
| 5000+ | CNY3.430 (CNY3.8759) |
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- 制造商ROHM制造商产品编号QS8J4TR库存编号复卷3407064RL切割卷带3407064技术数据表通道类型P通道漏源电压Vds N沟道30V漏源电压Vds P沟道30V连续漏极电流 Id N沟道4A连续漏极电流 Id P沟道4A漏源通态电阻N沟道-漏源导通电阻P沟道0.056ohm晶体管封装类型TSMT针脚数8引脚耗散功率N沟道1.5W耗散功率P沟道1.5W工作温度最高值150°C产品范围-合规-湿气敏感性等级MSL 1 -无限制SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
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- 通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id P沟道4A
漏源导通电阻P沟道0.056ohm
针脚数8引脚
耗散功率P沟道1.5W
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道4A
漏源通态电阻N沟道-
晶体管封装类型TSMT
耗散功率N沟道1.5W
工作温度最高值150°C
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
- 原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区税则号：85412100US ECCN:EAR99EU ECCN:NLRRoHS 合规：是RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)下载产品合规证书产品合规证书
重量（千克）：.0005