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QS6K21TR
双路场效应管, MOSFET, N通道, 45 V, 45 V, 1 A, 1 A, 0.42 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY7.560 | CNY7.56 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY7.560 (CNY8.5428) |
| 10+ | CNY4.720 (CNY5.3336) |
| 100+ | CNY3.080 (CNY3.4804) |
| 500+ | CNY2.380 (CNY2.6894) |
| 1000+ | CNY1.850 (CNY2.0905) |
| 5000+ | CNY1.730 (CNY1.9549) |
品項附註
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号QS6K21TR
库存编号
复卷2706594RL
切割卷带2706594
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道45V
漏源电压Vds P沟道45V
连续漏极电流 Id N沟道1A
连续漏极电流 Id P沟道1A
漏源通态电阻N沟道0.42ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOT-457
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.25W
耗散功率P沟道1.25W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
45V
连续漏极电流 Id P沟道
1A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.25W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
45V
连续漏极电流 Id N沟道
1A
漏源通态电阻N沟道
0.42ohm
晶体管封装类型
SOT-457
耗散功率N沟道
1.25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005577