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QH8MC5TCR
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 60 V, 60 V, 3 A, 3 A, 0.09 ohm
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| 1+ | CNY11.660 (CNY13.1758) |
| 10+ | CNY7.360 (CNY8.3168) |
| 100+ | CNY4.890 (CNY5.5257) |
| 500+ | CNY3.830 (CNY4.3279) |
| 1000+ | CNY3.260 (CNY3.6838) |
| 5000+ | CNY2.900 (CNY3.277) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号QH8MC5TCR复制
库存编号3778171
技术数据表
通道类型N和P沟道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道3A
连续漏极电流 Id P沟道3A
漏源通态电阻N沟道0.09ohm
漏源导通电阻P沟道0.091ohm
晶体管封装类型TSMT
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.5W
耗散功率P沟道1.5W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
3A
漏源导通电阻P沟道
0.091ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.5W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
3A
漏源通态电阻N沟道
0.09ohm
晶体管封装类型
TSMT
耗散功率N沟道
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00005