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HP8ME5TB1
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8 A, 0.193 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY13.380 | CNY13.38 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY13.380 (CNY15.1194) |
| 10+ | CNY8.540 (CNY9.6502) |
| 100+ | CNY5.760 (CNY6.5088) |
| 500+ | CNY4.570 (CNY5.1641) |
| 1000+ | CNY4.010 (CNY4.5313) |
| 5000+ | CNY3.930 (CNY4.4409) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id P沟道
8A
漏源导通电阻P沟道
0.273ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
20W
产品范围
-
漏源电压Vds N沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
8.5A
漏源通态电阻N沟道
0.193ohm
晶体管封装类型
HSOP
耗散功率N沟道
20W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074