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EM6K6T2R
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY3.060 | CNY15.30 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.060 (CNY3.4578) |
| 50+ | CNY1.970 (CNY2.2261) |
| 250+ | CNY1.490 (CNY1.6837) |
| 1000+ | CNY1.210 (CNY1.3673) |
| 4000+ | CNY0.950 (CNY1.0735) |
品項附註
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号EM6K6T2R复制
库存编号
复卷2706589RL
切割卷带2706589
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道300mA
连续漏极电流 Id P沟道300mA
漏源通态电阻N沟道0.7ohm
漏源导通电阻P沟道0.7ohm
晶体管封装类型SOT-563
针脚数6引脚
耗散功率N沟道150mW
耗散功率P沟道150mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
300mA
漏源导通电阻P沟道
0.7ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
150mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
300mA
漏源通态电阻N沟道
0.7ohm
晶体管封装类型
SOT-563
耗散功率N沟道
150mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000003