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EM6K34T2CR
双路场效应管, MOSFET, N通道, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY1.890 | CNY9.45 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.890 (CNY2.1357) |
| 50+ | CNY1.200 (CNY1.356) |
| 250+ | CNY0.890 (CNY1.0057) |
| 1000+ | CNY0.806 (CNY0.9108) |
| 4000+ | CNY0.722 (CNY0.8159) |
品項附註
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号EM6K34T2CR
库存编号
复卷2706588RL
切割卷带2706588
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道50V
漏源电压Vds P沟道50V
连续漏极电流 Id N沟道200mA
连续漏极电流 Id P沟道200mA
漏源通态电阻N沟道1.6ohm
漏源导通电阻P沟道1.6ohm
晶体管封装类型SOT-563
针脚数6引脚
耗散功率N沟道150mW
耗散功率P沟道150mW
工作温度最高值-
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
50V
连续漏极电流 Id P沟道
200mA
漏源导通电阻P沟道
1.6ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
150mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
50V
连续漏极电流 Id N沟道
200mA
漏源通态电阻N沟道
1.6ohm
晶体管封装类型
SOT-563
耗散功率N沟道
150mW
工作温度最高值
-
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000003