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BSS670T116
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 650 mA, 0.68 ohm, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 5 | CNY2.930 | CNY14.65 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.930 (CNY3.3109) |
| 10+ | CNY1.790 (CNY2.0227) |
| 100+ | CNY1.140 (CNY1.2882) |
| 500+ | CNY0.843 (CNY0.9526) |
| 1000+ | CNY0.655 (CNY0.7402) |
| 5000+ | CNY0.481 (CNY0.5435) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
650mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
350mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.68ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000318