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BSM600D12P4G103
碳化硅MOSFET, 半桥, 双N通道, 567 A, 1.2 kV, Module
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号BSM600D12P4G103
库存编号4168760
技术数据表
MOSFET模块配置半桥
通道类型双N通道
电流, Id 连续567A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻-
针脚数11引脚
Rds(on)测试电压-
阈值栅源电压最大值4.8V
功率耗散1.78kW
工作温度最高值150°C
产品范围-
技术规格
MOSFET模块配置
半桥
电流, Id 连续
567A
漏源接通状态电阻
-
Rds(on)测试电压
-
功率耗散
1.78kW
产品范围
-
通道类型
双N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
针脚数
11引脚
阈值栅源电压最大值
4.8V
工作温度最高值
150°C
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.394