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2SB1386T100R
单晶体管 双极, PNP, 20 V, 4 A, 500 mW, SOT-89, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY7.040 (CNY7.9552) |
| 10+ | CNY4.390 (CNY4.9607) |
| 100+ | CNY2.870 (CNY3.2431) |
| 500+ | CNY2.140 (CNY2.4182) |
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最低: 1
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号2SB1386T100R
库存编号1680123
技术数据表
晶体管极性PNP
最大集电极发射电压20V
连续集电极电流4A
功率耗散500mW
晶体管封装类型SOT-89
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率120MHz
直流电流增益, Hfe 最小值82hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (23-Jan-2024)
产品概述
The 2SB1386T100R is a -5A PNP low-frequency epitaxial planar Silicon Transistor offers low collector to emitter saturation voltage.
- Excellent DC current gain characteristics
- 2SD2098 Complement
警告
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技术规格
晶体管极性
PNP
连续集电极电流
4A
晶体管封装类型
SOT-89
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
82hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
20V
功率耗散
500mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
120MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (23-Jan-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000141