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TP65H070G4QS-TR

氮化镓 (GaN)晶体管, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, TOLL, 表面安装

RENESAS
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
RENESAS TP65H070G4QS-TR 氮化镓 (GaN)晶体管, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, TOLL, 表面安装
制造商RENESAS
制造商产品编号TP65H070G4QS-TR复制
库存编号
复卷4371972RL
切割卷带4371972
产品范围SuperGaN Series
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产品信息

  • RENESAS
    制造商RENESAS
    制造商产品编号TP65H070G4QS-TR复制
    库存编号
    复卷4371972RL
    切割卷带4371972
    产品范围SuperGaN Series
    技术数据表

    Data Sheet

    漏源电压, Vds650V
    电流, Id 连续29A
    漏源接通状态电阻0.085ohm
    栅极电荷(典型值)8.4nC
    晶体管封装类型TOLL
    晶体管安装表面安装
    针脚数8引脚
    产品范围SuperGaN Series
    合规-
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)

技术规格

  • 漏源电压, Vds

    650V

    漏源接通状态电阻

    0.085ohm

    晶体管封装类型

    TOLL

    针脚数

    8引脚

    合规

    -

    电流, Id 连续

    29A

    栅极电荷(典型值)

    8.4nC

    晶体管安装

    表面安装

    产品范围

    SuperGaN Series

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (25-Jun-2025)

技术文档 1

法律与环境

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    China
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.00002