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677 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY26.050 | CNY26.05 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY26.050 (CNY29.4365) |
| 10+ | CNY23.690 (CNY26.7697) |
| 50+ | CNY23.160 (CNY26.1708) |
| 100+ | CNY22.710 (CNY25.6623) |
| 250+ | CNY21.950 (CNY24.8035) |
| 500+ | CNY21.630 (CNY24.4419) |
| 1000+ | CNY20.420 (CNY23.0746) |
| 2500+ | CNY20.030 (CNY22.6339) |
品項附註
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产品信息
制造商RENESAS
制造商产品编号R1LP0108ESA-5SI#S1
库存编号
复卷4146917RL
切割卷带4146917
技术数据表
SRAM类型异步SRAM,LPSRAM
存储密度1Mbit
记忆配置128Kword x 8位
IC 外壳 / 封装STSOP
针脚数32引脚
电源电压最小值4.5V
电源电压最大值5.5V
额定电源电压5V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
R1LP0108ESA-5SI#S1 R1LP0108E series is a low voltage 1Mbit static RAM organized as 131, 072-word by 8-bit, fabricated by Renesas’s high-performance 0. 15um CMOS and TFT technologies. The R1LP0108E series has realized higher density, higher performance and low power consumption. The R1LP0108E series is suitable for memory applications where a simple interfacing, battery operating and battery backup are the important design objectives.
- Single 4.5V to 5.5V power supply
- Small stand-by current is 0.6µA (5.0V, typical)
- No clocks, no refresh
- All inputs and outputs are TTL compatible
- Easy memory expansion by CS1# and CS2
- Common data I/O
- Three-state outputs: OR-tie capability
- OE# prevents data contention on the I/O bus
- 55ns access time
- 32-pin plastic sTSOP package, -40 to +85°C temperature range
技术规格
SRAM类型
异步SRAM,LPSRAM
记忆配置
128Kword x 8位
针脚数
32引脚
电源电压最大值
5.5V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
1Mbit
IC 外壳 / 封装
STSOP
电源电压最小值
4.5V
额定电源电压
5V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000001
