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AQW212EHA
继电器, MOSFET, 60 V, 500 mA, 2.5Ω, DPST常开
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|---|---|
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| 5+ | CNY47.530 (CNY53.7089) |
| 10+ | CNY39.380 (CNY44.4994) |
| 20+ | CNY35.310 (CNY39.9003) |
| 50+ | CNY33.330 (CNY37.6629) |
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产品概述
AQW212EHA是一款2极GU-E PhotoMOS继电器, I/O隔离电压为5000VAC. DIP (2 form-A) 8针型. 通孔端子. 增强型绝缘5000V, 输入与输出之间的内部绝缘距离超过0.4mm. 符合EN41003, EN60950 (增强绝缘). 控制低电平模拟信号PhotoMOS继电器具有极低的闭路失调电压, 可控制低电平模拟信号而且无失真.
- 通用, 经济型
- 高灵敏度, 高响应速度
- 低电平关断状态漏电流
- 5000V Reinforced isolation
- 850mW Power dissipation
- 2ms Turn-on and 1ms turn-off maximum time
- -40 to 85°C Operating temperature range
技术规格
触点类型
DPST-NO (2 Form A)
最大负载电压
60V
MOSFET继电器封装类型
DIP-8
继电器端子
鸥翼
隔离电压
5kV
关闭状态泄漏电流(最大)
1µA
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
负载类型
AC / DC
负载电流
500mA
继电器安装
表面安装
通态电阻最大值
2.5ohm
I/O电容类型
0.8pF
产品范围
PhotoMOS AQW Series
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85364110
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003121