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|---|---|
| 1+ | CNY84.050 (CNY94.9765) |
| 5+ | CNY71.100 (CNY80.343) |
| 10+ | CNY58.140 (CNY65.6982) |
| 50+ | CNY51.710 (CNY58.4323) |
| 100+ | CNY45.280 (CNY51.1664) |
| 250+ | CNY44.380 (CNY50.1494) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号UJ4C075060L8S复制
库存编号4750205
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续27.8A
漏源电压, Vds750V
漏源接通状态电阻0.074ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
Rds(on)测试电压12V
阈值栅源电压最大值6V
功率耗散155W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
27.8A
漏源接通状态电阻
0.074ohm
针脚数
8引脚
阈值栅源电压最大值
6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
750V
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
12V
功率耗散
155W
产品范围
EliteSiC Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000001
