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| 10+ | CNY111.790 (CNY126.3227) |
| 50+ | CNY109.560 (CNY123.8028) |
| 100+ | CNY107.320 (CNY121.2716) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号UJ3N120065K3S
库存编号4222002
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续34A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻66mohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压12V
阈值栅源电压最大值-4.7V
功率耗散254W
工作温度最高值175°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
34A
漏源接通状态电阻
66mohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
-4.7V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
12V
功率耗散
254W
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.008104

