打印页面
UJ3N120035K3S
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 63 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-247
525 有货
需要更多？
10 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
515 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY241.990 (CNY273.4487) |
| 5+ | CNY222.920 (CNY251.8996) |
| 10+ | CNY203.840 (CNY230.3392) |
| 50+ | CNY199.770 (CNY225.7401) |
| 100+ | CNY195.690 (CNY221.1297) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY241.99 (CNY273.45 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号UJ3N120035K3S复制
库存编号4014286
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续63A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.031ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压2V
阈值栅源电压最大值11.5V
功率耗散429W
工作温度最高值175°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
63A
漏源接通状态电阻
0.031ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
11.5V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
2V
功率耗散
429W
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0062